Эта публикация цитируется в 8 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)

А. В. Бакулин^ab, С. В. Еремеев^abc, О. Е. Терещенко^de, С. Е. Кулькова<sup>abc

a</sup> Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, г. Томск
^b Томский государственный университет
^c Donostia International Physics Center (DIPC), 20018 San Sebastián, Donostia, Spain
^d Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
^e Новосибирский государственный университет

Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности проведено изучение адсорбции хлора на In-стабилизированной поверхности InAs(001) с реконструкциями $\zeta$-(4 $\times$ 2) и $\beta3'$-(4 $\times$ 2), а также на Ga-стабилизированной поверхности $\zeta$-GaAs(001)-(4 $\times$ 2). Определены равновесные структурные параметры рассмотренных реконструкций, положения атомов поверхностных слоев, длины связей в димерах, а также их изменение при адсорбции хлора. Рассчитаны электронные характеристики чистой поверхности и с адсорбированным хлором. Показано, что наиболее энергетически выгодными позициями для адсорбции хлора являются вершинные позиции над димеризованными атомами индия или галлия. Объяснен механизм связи хлора с In(Ga)-стабилизированной поверхностью. Взаимодействие атомов хлора с димеризованными поверхностными атомами приводит к ослаблению связей поверхностных атомов и определяет начальную стадию в травлении поверхности.

Поступила в редакцию: 13.01.2010
Принята в печать: 19.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 21–29

Реферативные базы данных:

•