Обзоры

Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей. Обзор

П. Г. Кашерининов, А. А. Томасов, Е. В. Берегулин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам оптических регистрирующих сред на полупроводниковых структурах. Рассмотрены принципы работы, конструкция, параметры, области применения оптических регистрирующих сред на: MIS-структурах на фоторефрактивных кристаллах с толстым слоем диэлектрика; MIS-структурах с жидким кристаллом в качестве диэлектрика (модуляторы МДП-ЖК); на эффекте оптической бистабильности в полупроводниковых структурах – на полупроводниковых MIS-структурах с наноразмерным слоем диэлектрика (TI); M(TI)S-наноструктурах. Особое внимание уделено регистрирующим средам на M(TI)S-наноструктурах, перспективным для быстрой обработки высокоинформативных изображений и создания оптоэлектронных корреляторов изображений некогерентного света.

Поступила в редакцию: 26.05.2010
Принята в печать: 02.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:1, 1–20

Реферативные базы данных:

•