Аннотация:
Разработана технология создания фотодиодов мостиковой конструкции с малым диаметром фоточувствительной площадки ($<$ 100 мкм) на основе гетероструктур InAs/InAsSbP, позволяющая получать высокую воспроизводимость параметров приборов. Показано, что полная изоляция металлического мостика при травлении дает возможность в 2 раза уменьшить высоту мезы и, соответственно, обеспечить большую механическую прочность мостикового фотодиода. Применение предлагаемой технологии привело к уменьшению разброса параметров приборов по пластине, а также снижению величины темновых токов фотодиодов. Так, при $U$ = -0.2 В минимальный темновой ток составляет $I_d$ = 200 мкА при открытом мостике и $I_d$ = 1 мкА для приборов с полной изоляцией. Подавление металл-стимулированного травления позволяет изготавливать приборы мостиковой конструкции на любых соединениях A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ независимо от используемого материала, травителя и кристаллографической ориентации структуры.
Полный текст:
PDF файл (1128 kB)