Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электрические свойства эпитаксиальных пленок Cr$_2$O$_3$:Mg, выращенных на объемных кристаллах оксида галлия и сапфировых подложках

В. И. Николаев^ab, А. Я. Поляков^c, С. В. Шапенков^a, А. И. Степанов^a, Р. Б. Тимашов^a, В. М. Крымов^a, И. В. Щемеров^c, Н. Р. Матрос^c, А. А. Васильев^c, Л. А. Алексанян^c, А. В. Черных<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "Совершенные кристаллы", 194223 Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы электрические свойства кристаллических слоев Cr$_2$O$_3$ $p$-типа проводимости, легированных магнием (от 0.1 до 5 вес.%) в процессе mist-CVD (Chemical Vapor Deposition) эпитаксии на коммерческих сапфировых подложках и собственных пластинах (100) объемного $\beta$-Ga$_2$O$_3$ $n$-типа. Для $p$–$n$-гетероперехода C$_2$O$_3$:Mg/$\beta$-Ga$_2$O$_3$ получено хорошее выпрямление, что позволило провести исследования методами адмиттанс-спектроскопии и релаксационной спектроскопии глубоких уровней этой структуры впервые.

Ключевые слова: $p$–$n$-гетеропереход, оксид галлия, оксид хрома, электрофизика.

Поступила в редакцию: 19.09.2025
Исправленный вариант: 13.11.2025
Принята в печать: 13.11.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.08.62188.8564