Аннотация:
Используя адиабатическое приближение, сделана оценка коэффициента захвата электронов зоны проводимости на уровни $A_2^{-2}$ вакансий ртути в полупроводниках HgCdTe с шириной запрещенной зоны более $\sim$100 мэВ (с долей Cd в растворе $x>$ 0.2). Показано, что захват электронов на вакансии существенно подавляется с ростом доли кадмия. Например, низкотемпературный коэффициент захвата уменьшается с $\sim$10$^{-8}$ см$^3$$\cdot$ с$^{-1}$ при $x$ = 0.21 до $\sim$10$^{-12}$ см$^3$$\cdot$ с$^{-1}$ при $x$ = 0.25. Низкий темп захвата электронов в широкозонных слоях HgCdTe обусловлен главным образом значительной удаленностью уровней вакансии ртути от дна зоны проводимости, а также умеренно слабой электрон-фононной связью локализованных на вакансиях электронов (фактор Хуанга–Рис $S<$ 0.5).
Полный текст:
PDF файл (185 kB)