Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Исследование влияния формы маски на пространственное распределение скорости роста слоев GaAs, полученных методом МОС-гидридной селективной эпитаксии

А. Е. Маричев, В. В. Шамахов, А. Е. Гришин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В рамках численной модели газофазной диффузии исследовано влияние формы (квадрат, круг, ромб) и размера (2–10 мкм) масок на пространственное распределение скорости роста слоев GaAs, полученных методом МОС-гидридной селективной эпитаксии. Установлено, что для масок с окнами квадратной формы возрастание скорости роста изменяется по периметру неоднородно: минимально в центре стороны квадрата и возрастает при движении к вершинам квадрата, при этом максимальная разница достигает 2.4%. Снижение разницы возрастания скорости роста для окна квадратной формы может быть обеспечено за счет использования маски в форме ромба. Использование масок с окнами круглой формы обеспечивает минимальное изменение возрастания скорости роста при смещении от центра к краю, при этом скорость роста однородна по всему периметру. Показано, что наименьшее изменение возрастания скорости роста между центром окна и краем наблюдается при минимальных значениях ширин маски-окна и равно 0.328% для маски круглой формы.

Ключевые слова: модель, газофазная диффузия, селективная эпитаксия, прирост скорости роста, окна, маска.

Поступила в редакцию: 14.10.2025
Исправленный вариант: 13.11.2025
Принята в печать: 14.11.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.08.62186.8457