Аннотация:
Методом металлорганической газофазной эпитаксии выращены слои InAsP и GaInAsP на подложках InP. Проведенные исследования методами фотолюминесценции, рентгеновской дифрактометрии, а также энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии позволили определить условия выращивания слоев Ga$_{0.26}$In$_{0.74}$As$_{0.5}$P$_{0.5}$ с параметром рассогласования $\Delta a/a$ = 2000 ppm и шириной запрещенной зоны 1.04 эВ (край поглощения 1190 нм). На основе таких слоев была выращена структура фотопреобразователя лазерного излучения для $\lambda$ = 1064 нм. Проведенные измерения и расчет позволяют спрогнозировать значение кпд такой структуры на уровне 40% при плотности падающей мощности лазерного излучения с $\lambda$ = 1064 нм до 30–50 Вт/см$^2$ и 46% в случае увеличения ширины запрещенной зоны поглощающих слоев GaInAsP до 1.16 эВ (край поглощения 1070 нм).
Полный текст:
PDF файл (1541 kB)