Физика полупроводниковых приборов

Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров

Д. С. Папылев^a, И. И. Новиков^ab, В. В. Андрюшкин^ab, А. Г. Гладышев^b, В. В. Дюделев^c, Л. Я. Карачинский^ab, А. В. Бабичев^a, И. А. Няпшаев^c, А. Ю. Егоров^bc, Г. С. Соколовский<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^b ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние подложек InP различных производителей на структурные характеристики гетероструктур квантово-каскадных лазеров, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на заращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии темплейтах. Комплексный анализ методами рентгеновской рефлектометрии и оптической дефектометрии выявил уменьшение среднеквадратичного значения шероховатости интерфейсов на 42–47% и уменьшение плотности точечных дефектов в 1.5–4.0 раза при использовании подложек одного производителя при одинаковых номинальных параметрах подложек. Результаты подтверждают критическую роль качества подложек в снижении плотности точечных дефектов и шероховатости интерфейсов гетероструктур квантово-каскадных лазеров.

Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, шероховатость интерфейсов, дефекты, рентгеновская рефлектометрия, гетероструктура.

Поступила в редакцию: 18.09.2025
Исправленный вариант: 23.10.2025
Принята в печать: 05.11.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.07.62009.8580