Аннотация:
Выявлены оптимальные условия выращивания гетероструктур AlGaInSbP/InP(100) методом жидкофазной градиентной эпитаксии: температура – 823 K, градиент температуры – 20 K/см, толщина зоны – 200 мкм и переохлаждение – 5 K. Методом масс-спектроскопии установлен состав Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$Sb$_z$P$_{1-z}$: $x$ = 0.1, $y$ = 0.2, $z$ = 0.2 мол. доли. С использованием рамановской спектроскопии доказано наличие пяти мод бинарных соединений: InSb, GaSb, InP, AlSb, GaP. Исследована зависимость структурного совершенства и фотолюминесценции от наличия атомов алюминия (0.1 мол. доли) в гетероструктурах Ga$_{0.2}$In$_{0.8}$Sb$_{0.2}$P$_{0.8}$/InP. Спектральная характеристика гетероструктур Al$_{0.2}$In$_{0.8}$P/Al$_{0.1}$Ga$_{0.2}$In$_{0.7}$Sb$_{0.2}$P$_{0.8}$/InP показала высокое значение квантового выхода порядка 95% в диапазоне длин волн $\lambda$ = 400–800 нм.
Полный текст:
PDF файл (227 kB)