Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. Е. Черняков, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, Л. А. Алексанян, А. Я. Поляков, “Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием”, Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 7,страницы 397

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием

Е. И. Шабунина^a, Н. М. Шмидт^a, А. Е. Черняков^b, Н. А. Тальнишних^b, А. Л. Закгейм^b, А. Е. Иванов^bc, Л. А. Алексанян^d, А. Я. Поляков^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^d Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы коммерческие AlGaN ультрафиолетовые светодиоды с длиной волны излучения 270–280 нм и внешней квантовой эффективностью 5–7%. $C$–$V$-профилирование выявило на порядок более высокую концентрацию электронов в активной области по сравнению с синими светодиодами, вызванную перелегированием кремнием. Анализ спектров электролюминесценции и частотных зависимостей спектральной плотности низкочастотного шума выявил перестройку возбужденных дефектов в ультрафиолетовых светодиодах при уровнях инжекции на порядок ниже, чем в синих светодиодах, а также начало генерации дефектов при старении после 25ч.

Ключевые слова: светодиоды, УФ диапазон, MQW, AlGaN/GaN, низкочастотный шум.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 24.06.2025
Принята в печать: 18.09.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.07.62003.8101