RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 7, страницы 392–396 (Mi phts8409)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Преобразование субнаносекундных лазерных импульсов в электрический ток многопереходными фотопреобразователями: роль туннельных диодов

И. А. Толкачев, В. С. Юферев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Используя численное моделирование, исследуется роль встречно включенных туннельных диодов в многопереходных монолитных фотопреобразователях в процессе преобразования мощных субнаносекундных лазерных импульсов в импульс напряжения на подключенной нагрузке. Показано, что в этом случае, в отличие от стационарного лазерного излучения, туннельные диоды уже не являются ключевыми элементами многопереходного фотопреобразователя, без которых его функционирование оказывается невозможным, поскольку туннельные токи замещаются токами смещения. Впервые на примере двух-, трех- и шестипереходных $p$$i$$n$-фотопреобразователей, работающих в импульсном режиме, показана возможность их функционирования либо без туннельных диодов, либо при существенном снижении требований к их параметрам.

Ключевые слова: встречно включенные туннельные диоды, ток смещения, многопереходные монолитные фотопреобразователи, субнаносекундные мощные лазерные импульсы.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 24.06.2025
Принята в печать: 22.10.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.07.62002.8065



© МИАН, 2026