RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 7, страницы 379–382 (Mi phts8406)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe

В. Ф. Агекянa, С. Ю. Вербинa, А. Ю. Серовa, Н. Г. Философовa, И. В. Штромab

a Санкт-Петербургский государственный университет, 194034 Санкт-Петербург, Россия
b Институт аналитического приборостроения, 198095 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы спектры люминесценции и спектры возбуждения люминесценции в надбарьерной области энергии гетероструктуры CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te с единичной квантовой ямой при температурах 5–100 K. Установлено, что люминесценция в максимуме полосы барьера определяется релаксацией экситонов во всем интервале температур, тогда как в формирование люминесценции низкоэнергетического крыла полосы люминесценции барьера и люминесценции квантовой ямы при низких температурах основной вклад вносят свободные носители.

Ключевые слова: квантовые ямы II–VI, теллурид кадмия, люминесценция, перенос энергии.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 24.06.2025
Принята в печать: 18.09.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.07.61999.7841



© МИАН, 2026