XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении

В. В. Вайнберг^a, В. М. Васецкий^a, Ю. Н. Гуденко^a, В. Н. Порошин^a, Н. В. Байдусь^b, Б. Н. Звонков<sup>b

a</sup> Институт физики Национальной академии наук Украины, 03680 Киев, Украина
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована кинетика фотопроводимости в гетероструктурах $n$-In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными связанными квантовыми ямами и $\delta$-легированием в одной из них при межзонном возбуждении. Показано, что долговременный спад фотопроводимости, наблюдаемый в интервале температур от 10 до 70 K, обусловлен хаотическим потенциалом, связанным с флуктуациями состава в слоях квантовых ям.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

Реферативные базы данных:

•