Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, Е. П. Додин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Андронов, “Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12,страницы 1593

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики

Н. В. Байдусь^a, А. А. Бирюков^a, Е. П. Додин^b, Ю. Н. Дроздов^b, М. Н. Дроздов^b, Ю. Н. Ноздрин^b, А. А. Андронов^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследований закономерностей роста сверхрешеток GaAs/AlGaAs с узкими запрещенными мини-зонами методом МОС-гидридной эпитаксии. Измерены спектры фотолюминесценции, рентгеновской дифракции, определены профили распределения компонентов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, распределение концентраций носителей заряда методом емкостного профилирования. Изучена связь технологических режимов выращивания гетероструктур с их кристаллическими характеристиками, люминесцентными и электрофизическими свойствами. Измерения фотолюминесценции свидетельствуют о высоком качестве сверхрешеток. Рентгеновская дифракция и данные по вторичным ионам подтверждают высокую периодичность сверхрешеток, выращенных в оптимизированных режимах. На сверхрешетках, выращенных в оптимальных режимах роста, получена нелинейная вольт-амперная характеристика с областью отрицательной дифференциальной проводимости при умеренных напряжениях и последующим, при бо́льших напряжениях, ростом тока из-за туннелирования между мини-зонами. В области отрицательной дифференциальной проводимости наблюдались колебания тока на частотах $\sim$60 МГц. Отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции подтверждают наличие эффекта локализации электронов в умеренных электрических полях в первой мини-зоне проводимости, возникающей вследствие брэгговского отражения носителей в сверхрешетке.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012