XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий

Е. А. Тарасова^a, Д. С. Демидова^a, С. В. Оболенский^a, А. Г. Фефелов^b, Д. И. Дюков<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Приведены результаты моделирования процессов в мощных полевых транзисторах с двумерным газом (HEMT) при облучении квантами высоких энергий ($>$ 100 кэВ). Обсуждается возможность использования комплекса аналитической и численной моделей для оптимизации конструкции радиационно-стойких НЕМТ.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 14.06.2012

Реферативные базы данных:

•