XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

М. Я. Винниченко^a, Д. А. Фирсов^a, Л. Е. Воробьев^a, М. О. Машко^a, L. Shterengas^b, G. L. Belenky<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, 11794 New York, USA

Аннотация: Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции от времени в квантовых ямах InGaAsSb/ AlGaAsSb, имеющих различную ширину и различный состав материала барьера. Из анализа динамики фотолюминесценции найдены времена захвата носителей заряда в квантовые ямы, времена энергетической релаксации и времена жизни, в том числе время жизни по отношению к резонансной оже-рекомбинации. Показано, что при определенной конфигурации структур может наблюдаться резонансная оже-рекомбинация неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

Реферативные базы данных:

•