Эта публикация цитируется в 10 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP

Д. С. Абрамкин, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Обсуждается атомное и энергетическое строение самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP. Показано, что квантовые точки состоят из практически полностью релаксированного GaSb и имеют энергетическую структуру первого рода c основным электронным состоянием, принадлежащим непрямой долине зоны проводимости GaSb.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 14.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1534–1538

Реферативные базы данных:

•