Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Л. Е. Воробьев^a, Д. А. Фирсов^a, В. А. Шалыгин^a, В. Ю. Паневин^a, А. Н. Софронов^a, А. И. Якимов^b, А. В. Двуреченский^b, А. А. Тонких^c, P. Werner<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
^c Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle(Saale), Germany

Аннотация: Представлены результаты исследования спектров оптического поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si в среднем инфракрасном диапазоне. Исследовались 2 типа структур, различающихся методами формирования квантовых точек и шириной барьерных слоев. Изучено фотоиндуцированное поглощение при неравновесном заполнении дырочных состояний, а также поглощение света в структурах с разным уровнем легирования. Обнаружены особенности, связанные с заполнением основного и возбужденного состояний квантовой точки, демонстрирующие зависимость от поляризации излучения. По полученным данным экспериментально определен энергетический спектр дырок в структурах обоих типов.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 15.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1529–1533

Реферативные базы данных:

•