Эта публикация цитируется в 1 статье

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP

С. В. Тихов^a, Н. В. Байдусь^b, А. А. Бирюков^b, В. Е. Дегтярев<sup>a

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследован адмиттанс кольцевых планарных диодных гетеронаноструктур Au/InGaAs/InP и Au/InGaAs/ InAlAs на $i$-InP. Структуры состоят из $\delta$-слоя кремния и квантовой ямы InGaAs в эпитаксиальных слоях InP или InAlAs. Из анализа вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик определены профили распределения концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя. Показано, что понижение температуры приводит к увеличению концентрации электронов и подвижности электронов в квантовой яме.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1524–1528

Реферативные базы данных:

•