Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs

М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Сформирована и исследована диодная структура с $p$–$n$-переходом и InGaAs/GaAs-квантовой ямой в области пространственного заряда, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника $p$-типа. Показана возможность получения эффективной электролюминесценции исследованных структур. Обнаружено, что эффективность электролюминесценции зависит от условий формирования ферромагнитного слоя GaMnSb: содержания Mn и толщины слоя. Рассмотрены возможные механизмы электролюминесценции исследованных диодов. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 Тл) практически не изменяется в диапазоне температур 10–50 K. Циркулярная поляризация излучения обусловлена инжекцией в квантовую яму спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1518–1523

Реферативные базы данных:

•