Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs

А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано влияние ионной имплантации He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1506–1509

Реферативные базы данных:

•