Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs

С. В. Тихов^a, Н. В. Байдусь^b, А. А. Бирюков^b, С. В. Хазанова<sup>a

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Представлены сравнительные измерения адмиттанса в мезадиодах на подложке из $n^+$-GaAs и в кольцевых планарных диодных структурах на подложке $i$-GaAs, содержащие $\delta$-слой Si и квантовую яму InGaAs в эпитаксиальном слое GaAs. Показана возможность определения профиля концентрации и подвижности электронов в окрестности $\delta$-слоя и квантовой ямы InGaAs из анализа одновременно измеренных вольт-фарадных и вольт-симменсных характеристик в мезадиодах. При подобных измерениях в кольцевых диодных структурах на $i$-GaAs c данной геометрией структуры достоверно можно было определить только профиль концентрации. Обнаружено влияние относительного расположения квантовой ямы и $\delta$-слоя на профиль концентрации и значения подвижности. Также обсуждается явление максвелловской релаксации в кольцевых диодных структурах на $i$-GaAs.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1497–1501

Реферативные базы данных:

•