Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

Б. Н. Звонков^a, О. В. Вихрова^a, Ю. А. Данилов^a, М. Н. Дроздов^b, Ю. Н. Дроздов^b, И. Л. Калентьева^a, А. В. Кудрин<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, 603950, ГСП-105 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Впервые выращены и исследованы структуры, содержащие квантовую яму GaAsSb/GaAs и $\delta$-слои марганца и углерода в покровном слое GaAs. Полученные гетеронаноструктуры имеют хорошее кристаллическое качество, что подтверждается рентгенодифракционным анализом и фотолюминесцентными исследованиями. Обнаружено, что при температурах ниже 20–25 K они обладают ферромагнитными свойствами, поскольку демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление. Профилирование элементного состава методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявило противоположное влияние $\delta$-легирования углеродом и марганцем покровного GaAs слоя на профиль квантовой ямы GaAsSb: введение углерода приводит к размытию гетерограницы GaAsSb/GaAs из-за сегрегации сурьмы, а легирование марганцем практически не оказывает влияния на профиль распределения сурьмы в квантовой яме.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1493–1496

Реферативные базы данных:

•