RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1521–1526 (Mi phts8385)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах

В. А. Кукушкин

Институт прикладной физики Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Предложен и рассчитан частотно-перестраиваемый источник дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов, основанный на возбуждении фемтосекундными импульсами электромагнитного поля оптических нутаций на внутризонных переходах в полупроводниковых наногетероструктурах с асимметричными квантовыми ямами. Поскольку подзоны размерного квантования в последних характеризуются различными средними дипольными моментами, внутризонные межподзонные нутации вызывают появление низкочастотной поляризации, являющейся источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучений. Показано, что если нутации возбуждаются не однородно по всему образцу, а с некоторым пространственным периодом, то, несмотря на их импульсный характер, генерируемое излучение будет непрерывным. Частота последнего может перестраиваться в широких пределах путeм изменения указанного периода, а также частоты следования фемтосекундных импульсов.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1487–1492

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026