Эта публикация цитируется в 6 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов

П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов

Институт физики микроструктур РАН, 603950 ГСП-105, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Предлагается способ решения прямой и обратной задач послойного анализа в методе масс-спектрометрии вторичных ионов. Обсуждаются преимущества решения некорректной обратной задачи в фурье-пространстве с регуляризацией по методу Тихонова. При восстановлении профилей концентрации элементов особое внимание уделяется их сдвигу как особенности функции разрешения масс-спектрометрии вторичных ионов. Учет сдвига достигается совместным решением прямой и обратной задач послойного анализа. Приводятся примеры работы алгоритма восстановления как для смоделированных профилей, так и для полученных в эксперименте. Показано, что использование предложенного алгоритма восстановления позволяет повысить информативность и улучшить разрешение метода по глубине. Предложенный способ учета сдвига позволяет избежать систематической погрешности определения глубин залегания тонких приповерхностных слоев.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1481–1486

Реферативные базы данных:

•