П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин, “Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12,страницы 1505

Эта публикация цитируется в 18 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии

П. В. Волков^a, А. В. Горюнов^a, А. Ю. Лукьянов^a, А. Д. Тертышник^a, А. В. Новиков^a, Д. В. Юрасов^a, Н. А. Байдакова^a, Н. Н. Михайлов^b, В. Г. Ремесник^b, В. Д. Кузьмин^b

^a Институт физики микроструктур РАН, 603950 ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Продемонстрирована возможность измерения температуры подложки в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии при наклонном падении зондирующего света с помощью низкокогерентной тандемной интерферометрии. Исследованы температурные режимы установки выращивания гетероэпитаксиальных структур теллуридов кадмия и ртути “Обь-М” и установки выращивания структур кремний-германий RIBER SIVA-21. Построены калибровочные кривые в диапазоне 0–500$^\circ$C, связывающие показания штатной термопары, закрепленной внутри нагревателя, с истинной температурой подложки.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012