Эта публикация цитируется в 6 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb

В. Л. Берковиц, А. Б. Гордеева, Т. В. Львова, В. П. Улин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами электронной оже-спектроскопии и спектроскопии анизотропного отражения исследовались монослойные пленки нитрида галлия, сформированные на поверхности (001)GaAs путем химической нитридизации в гидразин-сульфидных растворах. Обнаружено, что оже-сигнал азота N KLL в нитридной пленке сдвинут в сторону больших кинетических энергий на $\sim$17.2 эВ по сравнению с аналогичным сигналом для объемного кристалла GaN. Наблюдаемый сдвиг обусловлен спецификой конфигурации валентных орбиталей атомов азота, терминирующих нитридизованную поверхность (001)GaAs. У этих атомов одна из валентных орбиталей не образует химической связи и занята неподеленной парой электронов. Предложенная конфигурация подтверждается результатами анализа спектров анизотропного отражения нитридизованной поверхности (001)GaAs. Впервые выполнены опыты по химической нитридизации поверхности GaSb. Оже-спектры нитридизованной поверхности (001)GaSb оказываются подобны спектрам нитридизованной поверхности (001)GaAs. Это свидетельствует об аналогичном характере химических процессов на этих поверхностях и формировании монослойной нитридной пленки на поверхности GaSb.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1432–1436

Реферативные базы данных:

•