Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии

А. Н. Алексеев^a, Д. М. Красовицкий^b, С. И. Петров^a, В. П. Чалый<sup>b

a</sup> ЗАО "НТО", 194156 Санкт-Петербург, Россия
^b АО "Светлана – Рост", 194156 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Использование многослойного буферного слоя, включающего высокотемпературный слой AlN, выращенный при температуре более 1100$^\circ$C, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1.5–2 порядка до значений 9 $\cdot$ 10$^8$–1 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$ по сравнению с выращиванием на тонком невысокотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к значительному увеличению подвижности электронов в слоях GaN, до значений 600–650 см$^2$/B $\cdot$ c, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1429–1431

Реферативные базы данных:

•