XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Электрооптическая ловушка для дипольных экситонов

А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: В диоде Шоттки на основе гетероструктуры GaAs/AlAs с одиночной квантовой ямой GaAs шириной 400 $\mathring{\mathrm{A}}$ реализована электрооптическая ловушка для пространственно-непрямых, дипольных экситонов. В условиях приложенного к затвору напряжения смещения ловушка для экситонов возникала при кольцевом освещении структуры непрерывным или импульсным лазером, генерирующим горячие электронно-дырочные пары в квантовой яме. Барьер для экситонов, накапливаемых внутри освещаемого кольца, возникал вследствие экранирования приложенного электрического поля неравновесными носителями непосредственно в области возбуждения. Экситоны накапливались внутри кольца за счет амбиполярного дрейфа носителей и диполь-дипольного экситонного отталкивания в области оптической накачки. Для накапливаемых таким образом дипольных экситонов в середине кольцевой электрооптической ловушки наблюдалось существенное сужение линии люминесценции с ростом плотности возбуждения, указывающее на их коллективное поведение.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1423–1428

Реферативные базы данных:

•