Эта публикация цитируется в 5 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)

Д. Н. Лобанов^a, А. В. Новиков^a, К. Е. Кудрявцев^a, М. В. Шалеев^a, Д. В. Шенгуров^a, З. Ф. Красильник^a, Н. Д. Захаров^b, P. Werner<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle/Saale, Germany

Аннотация: Представлены результаты исследований электролюминесценции многослойных $p$–$i$–$n$-структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Обнаружена немонотонная зависимость интенсивности сигнала электролюминесценции от островков, наблюдаемого при комнатной температуре, от толщины разделительного слоя Si. Наибольшая интенсивность сигнала электролюминесценции наблюдается для структур с толщиной разделительного слоя Si 15–20 нм. Обнаруженное существенное уменьшение сигнала электролюминесценции от островков в структурах с толстыми разделительными слоями Si ($>$ 20 нм) связывается с формированием в них дефектных областей. Наблюдаемое уменьшение интенсивности сигнала электролюминесценции в структурах с тонкими слоями Si связывается с уменьшением доли Ge в островках в этих структурах, которое вызвано увеличением диффузии Si в островки с ростом упругих напряжений в структуре.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1418–1422

Реферативные базы данных:

•