RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1440–1443 (Mi phts8372)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне

Д. И. Крыжковa, С. В. Морозовa, Д. М. Гапоноваa, С. М. Сергеевa, Д. И. Курицынa, К. В. Маремьянинa, В. И. Гавриленкоa, Ю. Г. Садофьевb

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991, Москва, Россия

Аннотация: Выполнено исследование спектров и кинетики низкотемпературной межзонной фотолюминесценции эпитаксиальных структур квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона в условиях мощного импульсного возбуждения. При высоких уровнях возбуждения (600 мВт, диаметр пятна $\sim$200 мкм) наблюдалась фотолюминесценция, отвечающая переходам как между основными, так и между возбужденными состояниями двух туннельно-связанных ям. Кинетические измерения показали, что при уменьшении длины волны наблюдения фотолюминесценции времена нарастания и спада сильно уменьшаются, и при длинах волн $<$ 770 нм снижаются вплоть до временно́го разрешения измерительной системы.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1411–1414

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026