Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки

А. Н. Яблонский^a, Б. А. Андреев^a, Д. И. Крыжков^a, В. П. Кузнецов^b, Д. В. Шенгуров^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения фотолюминесценции эрбия, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si :Er /Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от длины волны излучения накачки $\lambda_{\mathrm{ex}}$ вблизи края межзонного поглощения кремния связана с неоднородностью оптического возбуждения активного слоя Si : Er. Резкое возрастание интенсивности фотолюминесценции эрбия в спектральном диапазоне $\lambda_{\mathrm{ex}}$ = 980 – 1030 нм связано с увеличением возбуждаемой области излучающего слоя Si : Er при переходе к подзонному излучению накачки ($\lambda_{\mathrm{ex}}>$ 980 нм) с малым коэффициентом поглощения в кремнии вследствие эффективного распространения возбуждающего излучения в объеме исследуемых структур. Показано, что при подзонной оптической накачке структур Si : Er/Si, как и в случае межзонной накачки, реализуется экситонный механизм возбуждения ионов эрбия. Генерация экситонов в указанных условиях осуществляется в результате двухступенчатого процесса поглощения с участием примесных состояний в запрещенной зоне кремния.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1407–1410

Реферативные базы данных:

•