RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1430–1434 (Mi phts8370)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Исследование способов уменьшения частоты генерации терагерцового квантово-каскадного лазера с каскадом, состоящим из двух квантовых ям

Д. В. Ушаковa, Ю. Г. Садофьевb, N. Samalc

a Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Белоруссия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
c Trion Technology, 85281 Tempe, AZ, USA

Аннотация: Предложено два механизма достижения меньших частот терагерцового диапазона в квантово-каскадных структурах с 2 квантовыми ямами на основе соединений GaAs/AlGaAs. Первый механизм основан на введении составных квантовых ям, представляющих собой узкую ($\sim$2 нм) квантовую яму с низким потенциальным барьером, находящуюся внутри основной широкой квантовой ямы. Второй механизм базируется на использовании барьеров неравной высоты, расположенных перед и после составной квантовой ямы. Рассчитаны оптимизированные квантово-каскадные лазерные структуры, излучающие в области $\sim$2.15 и $\sim$1.35 ТГц.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1402–1406

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026