Аннотация:
Предложено два механизма достижения меньших частот терагерцового диапазона в квантово-каскадных структурах с 2 квантовыми ямами на основе соединений GaAs/AlGaAs. Первый механизм основан на введении составных квантовых ям, представляющих собой узкую ($\sim$2 нм) квантовую яму с низким потенциальным барьером, находящуюся внутри основной широкой квантовой ямы. Второй механизм базируется на использовании барьеров неравной высоты, расположенных перед и после составной квантовой ямы. Рассчитаны оптимизированные квантово-каскадные лазерные структуры, излучающие в области $\sim$2.15 и $\sim$1.35 ТГц.
Поступила в редакцию: 25.04.2012 Принята в печать: 25.04.2012