Эта публикация цитируется в 19 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером

К. Е. Спирин^a, К. П. Калинин^a, С. С. Криштопенко^a, К. В. Маремьянин^a, В. И. Гавриленко^a, Ю. Г. Садофьев<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Измерены спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с различной толщиной разделительного барьера AlSb 0.6–1.8 нм при температуре $T$ = 4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова–де Гааза определены концентрации электронов в ямах при различных длинах волн подсветки. Выявлены особенности, связанные с туннельной прозрачностью разделительного барьера толщиной 0.6 нм (2 монослоя). Выполненные самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы показали, что в области отрицательной остаточной фотопроводимости в структурах устанавливается симметричный, а в области положительной остаточной фотопроводимости – асимметричный профиль потенциала, приводящий к спиновому расщеплению Рашбы ($>$ 2 мэВ на уровне Ферми). Показано, что введение туннельно-прозрачного разделительного барьера увеличивает расщепление Рашбы.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1396–1401

Реферативные базы данных:

•