Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии

Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Получены калибровочные линии для послойного анализа концентрации матричных элементов в слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$As на вторично-ионном масс-спектрометре TOF.SIMS-5. Концентрация твердого раствора для набора тестовых образцов была независимо измерена методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения с учетом отклонения периода решетки и упругих модулей от закона Вегарда. Показано, что при использовании в методе вторично-ионной масс-спектрометрии распыляющих ионов Cs$^+$ и анализирующего пучка Bi$^+$ близкой к линейной для положительных ионов является зависимость отношения интенсивностей Y(CsAl$^+$)/Y(CsAs$^+$) от $x$(AlAs); при регистрации отрицательных ионов близкой к линейной является зависимость Y(Al$_2$As$^-$)/Y(As$^-$) от $x$. Эти данные позволяют нормировать профили послойного анализа в системе Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Кроме того, предложен простой вариант введения поправок на отклонение от закона Вегарда в рентгеновские данные.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1392–1395

Реферативные базы данных:

•