Эта публикация цитируется в 13 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором

В. В. Румянцев, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведен цикл исследований по изучению релаксации примесной фотопроводимости в Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в слабых и “греющих” (10–500 В/см) электрических полях. Показано, что зависимость времени захвата носителей в зоне от приложенного электрического поля является немонотонной и в больших полях ($>$ 75 В/см) время захвата уменьшается с ростом поля, что связывается с подключением процессов релаксации с испусканием оптического фонона внутри зоны. Исследована зависимость темпов релаксации носителей от длины волны возбуждающего излучения, и обнаружено уменьшение времени захвата носителей в зоне в окрестности резонансов Брейта–Вигнера–Фано, обусловленное прямым захватом на примесь с испусканием оптического фонона.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1387–1391

Реферативные базы данных:

•