Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы

С. В. Морозов^a, Д. И. Крыжков^a, В. И. Гавриленко^a, А. Н. Яблонский^a, Д. И. Курицын^a, Д. М. Гапонова^a, Ю. Г. Садофьев^b, Б. Н. Звонков^c, О. В. Вихрова<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Методом спектроскопии фотолюминесценции и методами время-разрешенной фотолюминесценции проведены исследования по определению типа гетероперехода в гетероструктуре GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs при $x$ = 0.36. Для сравнения были проведены исследования гетероструктуры GaAsSb/GaAs с долей сурьмы 15%, для которой можно уверенно говорить о гетеропереходе I типа. По синему сдвигу положения линии фотолюминесценции в зависимости от мощности возбуждения и временам релаксации сигнала фотолюминесценции от квантовой ямы GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs, составившим $\sim$11 нс, было установлено, что при содержании сурьмы 36% структуры GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs представляют собой ярко выраженный гетропереход II типа. Дополнительным свидетельством этого послужили данные, полученные для структур с содержанием сурьмы 15%, в которых не наблюдалось сдвига положения линии фотолюминесценции от мощности накачки, а времена релаксации фотолюминесценции в области сигнала от квантовой ямы составили $\sim$1.5 нс.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1376–1380

Реферативные базы данных:

•