Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения

Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, А. Н. Яблонский

Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции иона эрбия в структурах Si : Er/Si в случае однородного (по поверхности образца) и неоднородного оптического возбуждения. Показано, что способ возбуждения существенно влияет на вид получаемых зависимостей. Обсуждается способ определения сечения возбуждения иона Er как при непрерывной, так и при импульсной оптической накачке. Полученное значение эффективного сечения возбуждения ионов эрбия в кремнии $\sigma$ = 5 $\cdot$ 10$^{-14}$ см$^2$ (при температуре 8 K) на порядок превышает значения, известные из литературы.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1372–1375

Реферативные базы данных:

•