Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм

Ю. Г. Садофьев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Проведено сопоставление DWELL-, DUWELL- и GC-SRL-концепций выращивания квантовых точек InAs в идентичных условиях эпитаксиального роста. Лазерные структуры предназначены для работы вблизи 1.3 мкм. Предложена усовершенствованная методика определения скорости роста арсенида индия. Изучена зависимость спектрального положения и интенсивности пика фотолюминесценции от типа структуры и условий эпитаксии. Показана лазерная генерация через основные состояния размерного квантования при комнатной температуре в полосковом лазере на основе DUWELL-структуры с 10 слоями квантовых точек InAs.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1367–1371

Реферативные базы данных:

•