Эта публикация цитируется в 6 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев

А. В. Мурель, А. В. Новиков, В. И. Шашкин, Д. В. Юрасов

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки на кремниевых структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что управление возможно как при использовании сильно легированных поверхностных однородных (3D) слоев ($\sim$10$^{20}$ см$^{-3}$), так и приповерхностных (2D) $\delta$-слоев ($\sim$10$^{13}$ см$^{-2}$), обеспечивающих туннельное прохождение тока через барьер на границе металл–полупроводник. Изучены зависимости эффективной высоты барьера от параметров сильно легированных слоев. Проведенное моделирование электронного транспорта в структурах позволило качественно объяснить наблюдаемые экспериментальные результаты.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1358–1361

Реферативные базы данных:

•