Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью $(11\bar22)$

А. Ю. Фадеев^a, А. О. Лебедев^b, Ю. М. Таиров<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели на затравках с ориентацией поверхности $(11\bar22)$. Показано, что данная плоскость затравки может быть использована для улучшения структурного совершенства слитков карбида кремния. Дефектная структура характеризуется полным отсутствием микропор, а также снижением плотности дислокаций (на порядок величины), по сравнению с затравкой. В то же время при росте на плоскости затравки $(11\bar22)$ наблюдается накопление дефектов упаковки. Характер дефектов упаковки отвечает формульному типу (5,2) в нотации Жданова (внутренний дефект по Франку).

Поступила в редакцию: 10.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1346–1350

Реферативные базы данных:

•