И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10,страницы 1363

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках

И. И. Ижнин^a, К. Д. Мынбаев^b, М. В. Якушев^c, А. И. Ижнин^a, Е. И. Фицыч^d, Н. Л. Баженов^b, А. В. Шиляев^b, Г. В. Савицкий^a, R. Jakiela^e, А. В. Сорочкин^b, В. С. Варавин^b, С. А. Дворецкий^b

^a Научно-производственное предприятие "Карат", 79031 Львов, Украина
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 632090 Новосибирск, Россия
^d Львовский национальный университет им. И. Франко, 79000 Львов, Украина
^e Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland

Аннотация: Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данные измерений фотолюминесценции указывают на высокое структурное совершенство пленок, а данные исследования эффекта Холла в сочетании с низкоэнергетической ионной обработкой – на низкую концентрацию остаточных доноров ($\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$). В пленках выявлено наличие акцепторных состояний, предположительно связанных с захватом примесей на структурные дефекты, типичные для сильно рассогласованных гетероэпитаксиальных структур.

Поступила в редакцию: 27.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012