Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения

А. Ф. Цацульников^ab, В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, А. В. Сахаров^ab, Ю. Г. Мусихин, С. О. Усов^ab, М. Н. Мизеров^b, Н. А. Черкашин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France

Аннотация: Проведены исследования гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N, содержащих сверхтонкие слои InGaN, выращенные методом субмонослойного роста. Было показано, что в случае роста сверхтонких слоев InGaN путем циклического осаждения InGaN и GaN с эффективными толщинами менее одного монослоя в слоях InGaN наблюдается значительная фазовая сепарация с образованием локальных In-обогащенных областей, имеющих латеральные размеры $\sim$5–8 нм и высоту $\sim$3–4 нм. Были проведены исследования влияния прерываний роста в водород-содержащей атмосфере при субмонослойном росте на структурные и оптические свойства гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N. Установлено, что эти прерывания стимулируют фазовую сепарацию. Было показано, что изменяя эффективные толщины InGaN и GaN в циклах субмонослойного осаждения, можно влиять на образование In-обогащенных областей.

Поступила в редакцию: 15.03.2012
Принята в печать: 20.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1335–1340

Реферативные базы данных:

•