Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках

Ю. М. Шерняков^a, М. В. Максимов^ab, А. Е. Жуков^ab, А. В. Савельев^b, В. В. Коренев^b, Ф. И. Зубов^b, Н. Ю. Гордеев^ab, Д. А. Лившиц<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Innolume GmbH, 44263 Дортмунд, Германия

Аннотация: Исследованы спектры лазерной генерации и ватт-амперные характеристики в широком диапазоне накачки лазеров на основе InAs/InGaAs квантовых точек, модулированно легированных примесью $p$-типа. Показано, что $p$-легирование приводит к существенному увеличению порога генерации на возбужденном оптическом переходе и позволяет получить большую мощность на основном переходе по сравнению с “нелегированными” лазерами. Предложено объяснение особенностей двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках.

Поступила в редакцию: 11.03.2012
Принята в печать: 16.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1331–1334

Реферативные базы данных:

•