Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs

Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs выращены и исследованы лазерные гетероструктуры с волноводными и эмиттерными слоями из твердых растворов AlGaAs и AlGaAsP. Показано, что гетероструктура, содержащая слои AlGaAsP, имеет больший радиус кривизны по сравнению со структурой, состоящей из слоев AlGaAs. Из лазерной гетероструктуры AlGaAsP/GaAs изготовлены и исследованы мезаполосковые лазеры с апертурой 100 мкм. Лазеры имели внутренние оптические потери 0.75 см$^{-1}$ и характеристический параметр $T_0$ = 140 K в диапазоне температур 20–70$^\circ$C. Максимальная выходная оптическая мощность на одно зеркало достигала 4.1 Вт и генерация в непрерывном режиме сохранялась при температуре теплоотвода 120$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 09.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1321–1325

Реферативные базы данных:

•