Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантово-размерный эффект в пленках кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

И. Е. Тысченко^a, В. А. Володин<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: В пленки кремний-на-изоляторе толщиной 280 нм были имплантированы ионы водорода с энергией 24 кэВ дозой 5 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-2}$. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдались пики, соответствующие локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния с размерами 1.9–2.5 нм. Доля нанокристаллической фазы составляла $\sim$10%. Обнаружена полоса фотолюминесценции с максимумом около 1.62 эВ, интенсивность которой имела немонотонную зависимость от температуры измерений в диапазоне 88–300 K. Рост излучательной рекомбинации при температуре менее 150 K объясняется в рамках двухуровневой модели энергии сильно локализованных электронов и дырок. Величина энергии активации роста фотолюминесценции составляет 12.4 мэВ и соответствует энергии расщепления возбужденного состояния носителей зарядов, локализованных в нанокристалле кремния.

Поступила в редакцию: 12.03.2012
Принята в печать: 20.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1286–1290

Реферативные базы данных:

•