Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра

А. Ф. Цацульников^ab, В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, А. Е. Николаев^ab, А. В. Сахаров^ab, М. М. Рожавская^ab, С. О. Усов^ab, П. Н. Брунков^a, М. А. Синицын^ab, Д. В. Давыдов^ab, М. Н. Мизеров^b, Н. А. Черкашин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France

Аннотация: Представлены результаты исследований свойств композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN. Показано, что в слое InAlN наблюдается значительная фазовая сепарация, которая приводит к формированию трехмерных островков, состоящих из областей AlN–InAlN–AlN. Размеры этих островков зависят как от толщины слоя InAlN, так и от условий эпитаксиального роста. Использование прерываний во время роста InAlN позволяет влиять на структурные свойства островков InAlN. Использование композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN со слоем InGaN высокого состава в качестве активной области светодиодных структур позволяет получить излучение в желто-красном диапазоне длин волн 560–620 нм.

Поступила в редакцию: 05.03.2012
Принята в печать: 15.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1281–1285

Реферативные базы данных:

•