Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs

С. В. Тихов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Квантовые точки InAs, встроенные в область пространственного заряда эпитаксиальной пленки $n$-GaAs на разные расстояния от поверхности (5–300 нм), уменьшают потенциальный барьер для электронов, локализованных в $n$-GaAs. Для туннельно-тонких покровных слоев это связано с туннелированием через энергетические уровни квантовых точек, а для толстых слоев – с отрицательным заряжением уровней квантования и дефектов, локализующихся вблизи квантовых точек. Уменьшение барьера увеличивает захват электронов на поверхностные состояния и смещает частотную дисперсию подвижности в эффекте поля, связанную с этим захватом, в сторону более высоких частот. При встраивании квантовых точек вблизи подножия барьера они проявляются в релаксации слабосигнального эффекта поля. Определены некоторые параметры уровней квантования. Обнаружено дефектообразование в слоях, прилегающих к квантовым точкам.

Поступила в редакцию: 29.02.2012
Принята в печать: 13.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1274–1280

Реферативные базы данных:

•