Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/$p$-InAs

В. Ю. Рудь^a, Ю. В. Рудь^b, Е. И. Теруков^b, Т. Н. Ушакова^b, М. С. Сергинов<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Туркменский государственный университет им. Магтымгулы, 744000 Ашхабад, Туркменистан

Аннотация: Впервые методом поверхностного термического взаимодействия арсенида индия с нормальной воздушной атмосферой Земли получены гетероструктуры, представляющие собой контакт тонкой пленки собственного окисла Ox арсенида индия с пластиной InAs. Исследованы первые вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур Ox/$p$-InAs. Впервые для этих гетероструктур обнаружено выпрямление и анализируются спектральные зависимости фоточувствительности. Сделан вывод о возможности использования новой технологии для получения широкополосных фотодетекторов оптического излучения Ox/$p$-InAs.

Поступила в редакцию: 22.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1270–1273

Реферативные базы данных:

•