Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi$_4$Te$_7$ (Me = Ge, Pb, Sn)

М. К. Житинская^a, С. А. Немов^a, Н. М. Благих^a, Л. Е. Шелимова^b, Т. Е. Свечникова<sup>b

a</sup> Государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования кинетических коэффициентов (Нернста–Эттингсгаузена $Q_{123}$, электропроводности $\sigma_{11}$, теплопроводности $\kappa_{ii}$, Зеебека $S_{11}$, $S_{33}$ и Холла $R_{213}$) в образцах слоистых соединений из гомологического ряда A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$–A$^{\mathrm{V}}_2$B$^{\mathrm{VI}}_3$ (A$^{\mathrm{IV}}$–Ge, Sn, Pb; A$^{\mathrm{V}}$–Bi, Sb; B$^{\mathrm{VI}}$–Te), именно SnBi$_4$Te$_7$ и PbBi$_4$Te$_7$ $n$-типа проводимости, в интервале температур 77–400 K. Кристаллы были выращены методом Чохральского. Анализ результатов показал, что полученные данные по явлениям переноса в SnBi$_4$Te$_7$ и PbBi$_4$Te$_7$ можно описать в рамках однозонной модели энергетического спектра. Сравнение найденных параметров для стехиометрических образцов показало, что при переходе от GeBi$_4$Te$_7$ к SnBi$_4$Te$_7$ и PbBi$_4$Te$_7$ плотность электронных состояний растет и увеличивается доля рассеяния электронов на ионах примесей. Определено, что дополнительное легирование кадмием и серебром соединения PbBi$_4$Te$_7$ оказывает существенное влияние на его электронную и фононную системы, подобно тому, как легирование медью влияет на электрические и тепловые свойства соединения GeBi$_4$Te$_7$.

Поступила в редакцию: 05.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1256–1262

Реферативные базы данных:

•